普賽斯IGBT功率器件靜態參數測試系統,集多種測量和分析功能一體,可以精準測量IGBT功率半導體器件的靜態參數,擁有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

普賽斯IGBT功率器件靜態參數測試系統配置由多種測量單元模塊組合而成,系統模塊化的設計可以極大方便客戶添加或升級測量模塊,適應測量功率器件持續變化的需求。詳詢一八一四零六六三四七六；“雙高”系統優勢

高電壓、大電流

擁有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(Z大可擴展至10kV)

擁有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯)

高精密度測量

nA級漏電流,

μΩ級導通電阻

0.1%精度測量

模塊化配置

可以按照實際測試需要靈活配置多種測量單元系統預留升級空間,后期可添加或升級測量單元

測試高效

內置專用開關矩陣,按照測試項目自動切換電路與測量單元

支持國家標準全指標的一鍵測試

擴展性好

支持常溫及高溫測試可靈活定制各類夾具測試項目集電極-發射極電壓Vces，集電極-發射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發射極飽和電壓Vcesat集電極截至電流Ices、柵極漏電流Iges柵極-發射極電壓Vges、柵極-發射極閾值電壓Vge(th)輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容續流二極管壓降VfI-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等