半導體參數CV測試系統簡述 電容-電壓(C-V)測量普遍用于半導體參數測試方面，尤其是MOSCAP和MOSFET結構。MOS(金屬-氧化物-半導體)結構的電容是外加電壓的函數，MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線（一般稱作C-V特性），C-V曲線測試可以方便的確定二氧化硅層厚度dox、襯底摻雜濃度N、氧化層中可動電荷面密度Q
1、和固定電荷面密度Qfc等參數。詳詢一八一四零六六三四七六； 系統方案 普賽斯半導體功率器件C-V測試系統主要由源表、LCR表、矩陣開關和上位機軟件組成。LCR表支持的測量頻率范圍在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)負責提供可調直流電壓偏置，通過矩陣開關加載在待測件上。

進行 C-V 測量時，通常在電容兩端施加直流偏壓，同時利用一個交流信號進行測量。一般使用的交流信號頻率在10KHz 到1MHz之間。所加載的直流偏壓用作直流電壓掃描，掃描流程中測試待測器件待測器件的交流電壓和電流，因而計算出不同電壓下的電容值。半導體參數CV測試系統優勢頻率范圍廣：頻率范圍10Hz~1MHz連續頻率點可調； 高精密度、大動態范圍：提供0V~3500V偏壓范圍，精度0.1%；自帶CV測試：自帶自動化CV測試軟件，包含C-V（電容-電壓），C-T（電容-時間），C-F（電容-頻率）等多項測試測試功能;兼容IV測試：同時支持擊穿特性及其漏電流特性測試；實時曲線繪制：軟件界面直觀展示項目測試數據及曲線，便于監控；​擴展性強：系統采用模塊化設計，可以按照需求靈活搭配；